“硅基半导体的未来是可预计的，但我们之前的投入不能就此搁浅，所以我们并没有停止追求在保持器件特性的同时，进一步降低故障率。
作为技术供应商，我们一直在寻找通过新设备获得更高性能的方法，同时我们也在调整晶圆厂的制造工艺。
在晶圆厂中，我们对平面栅极和沟槽栅极功率使用了许多创新的工艺步骤，创新也就意味着错误繁多、兼容难做，有时候一个技术点的差异就会导致整块晶圆报废。
比如更厚、更轻掺杂的堆栈，支持更高的击穿电压，但导通电阻增加。
所以为了在器件上形成沟槽，某些情况下，沟槽尺寸被我们做到了1μm（微米）甚至更小的程度。
为了形成沟槽，我们必须要在器件上沉积另一个掩模层，并且在其中注入掺杂剂。
沟槽被图案化，然后被蚀刻，由于沟槽填充有栅极材料，所以最后形成源极和漏极。
这些步骤每一步都极为重要，需要感谢的是我们大夏官方某蚀刻研究院提供的技术支持，让我们用上了世界上最顶尖的蚀刻技术。”
从晶圆到切晶圆、蚀刻、光刻搞芯片，到后面，顾青甚至为这些科技公司的高层们讲解起自家九州科技公司对部分半导体芯片问题的解决方向和具体方案。
“西方所谓的3D立体芯片与我们之前的堆叠芯片其实是一个东西，就像是修房子一样一层层的把芯片叠起来，从一套一套的平房堆叠成数层楼的居民楼房。
一颗芯片能够做到的事情是有限的，它的性能也是固定的，多颗芯片平面展开安装的话，虽然能够把整体处理器的性能提升上去，但是却会导致处理器核心的芯片模板面积过大，线头接口太多，容易引发故障。
而3D立体芯片与我们的堆叠芯片就可以把芯片一片片的堆叠起来，在同样的面积下，实现更强大的性能。
只不过这种技术会导致芯片散热问题极难解决，芯片一旦出了问题，就必须更换处理器，不存在让消费者换单一芯片的可能性。
而且3D堆叠结构的处理器对半导体芯片的稳定性也有极大的考验，在安装和使用过程中，一次颠簸摇晃就可能造成芯片故障。
那群西方科技公司搞的芯片技术，我们公司半导体工程师们都有研究，此次我们对外合作的硅基半导体技术，就完全可以胜任堆叠芯片技术，基本上可以做出领先西方科技公司芯片至少三代的芯片产品。
合作方如果想更进一步自己参与，还可以联系沟通上下游其他使用我司技术的科技公司，自行研发结构和设计，虽然在短期内不会有十分强大的芯片产生，但是只要掌握了规律和方法，那么完全可以做到三年更换一次结构，甚至两年就升级一次结构的进度。
只不过我还是希望合作方们能够先做好学生，好好学习，之后有了足够的基础和经验，再自己进行研发设计，而且设计芯片这一项目也是需要一个足够强大的工程师团队来完成的。